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元器件采购网 > B-598页 > JFET(结点场效应BFR31,215

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BFR31,215

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BFR31,215参数
产品类别:分离式半导体产品-JFET(结点场效应
说明:FET N-CHAN 25V SOT-23
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1mA @ 10V
漏极至源极电压(Vdss):25V
漏极电流 (Id) - 最大:10mA
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:2.5V @ 0.5nA
输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)

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